Полиметилметакрилат с молекулярной массой 107 г/моль для рентгеновской литографии

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Представлены результаты исследования синдиотактического полиметилметакрилата с молекулярной массой 107 г/моль, синтезированного методом ионной полимеризации с радиационным инициированием. Изменение химической структуры полимерного материала анализировали методом ИК-спектроскопии, дифференциального термического анализа, гель-проникающей хроматографии. При термическом разложении исходного полимера процесс потери массы можно разделить на три этапа: низкотемпературный, среднетемпературный и высокотемпературный. Исчезает ярко выраженный тепловой эффект плавления полимера даже после воздействия минимальных доз ионизирующего излучения. Обнаружено сравнительно быстрое снижение молекулярной массы под действием рентгеновского излучения в диапазоне доз до 100 Дж/см3 и разброс размеров молекул. Полидисперсность при малых дозах приблизительно в 3.5 раза выше, чем при дозах порядка 10 кДж/см3. Достигнута скорость проявления изображения, примерно в пять раз большая, чем в случае полимера с молекулярной массой 106 г/моль в стандартных условиях. Контраст составил величину 3.4. С помощью синхротронного излучения рентгеновского диапазона на источнике ВЭПП-3 осуществлено микроструктурирование методом рентгеновской литографии. Получены микроструктуры высотой до 5 мкм и диаметром около 2 мкм.

Об авторах

В. П. Назьмов

Институт ядерной физики им Г.И. Будкера СО РАН; Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: V.P.Nazmov@inp.nsk.su
Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630090, Новосибирск

А. В. Варанд

Институт ядерной физики им Г.И. Будкера СО РАН

Email: mikhailenkoma79@gmail.com
Россия, 630090, Новосибирск

М. А. Михайленко

Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН

Автор, ответственный за переписку.
Email: mikhailenkoma79@gmail.com
Россия, 630090, Новосибирск

Б. Г. Гольденберг

Институт ядерной физики им Г.И. Будкера СО РАН; Центр коллективного пользования “СКИФ”, Институт катализа
им. Г.К. Борескова СО РАН

Email: mikhailenkoma79@gmail.com
Россия, 630090, Новосибирск; Россия, 630559, Новосибирск

И. Ю. Просанов

Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН

Email: mikhailenkoma79@gmail.com
Россия, 630090, Новосибирск

К. Б. Герасимов

Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН

Email: mikhailenkoma79@gmail.com
Россия, 630090, Новосибирск

Список литературы

  1. Haller I., Hatzakis M., Srinivasan R. // IBM J. Res. Devel. 1968. V. 12. P. 251. https://doi.org/10.1147/rd.123.0251
  2. Spears D.L., Smith H.I. // Electron. Lett. 1972. V. 8. P. 102. https://doi.org/10.1049/el:19720074
  3. Vladimirsky Y., Vladimirsky O., Morris K.J., M. Klopf J., Calderon G.M., Saile V. // Microelectron. Eng. 1996. V. 30. № 1–4. P. 543. https://doi.org/10.1016/0167-9317(95)00305-3
  4. Greeneich J.S. // J. Electrochem. Soc. 1975. V. 122. P. 970.
  5. Charlesby A. Atomic Radiation and Polymers. N.Y.: Pergamon, 1960. 556 p.
  6. Hiraoka H. // IBM J. Res. Devel. 1977. V. 21. P. 121. https://doi.org/10.1147/rd.212.0121
  7. De Carlo F., Mancini D.C., Lai B., Song J.J. // Microsyst. Technol. 1998. V. 4. P. 86. https://doi.org/10.1007/s005420050102
  8. Nazmov V.P., Mezentseva L.A., Pindyurin V.F., Petrov V.V., Yakovleva E.N. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2000. V. 448. P. 493. https://doi.org/10.1016/S0168-9002(00)00238-2
  9. Pantenburg F.J., Achenbach S., Mohr J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1998. V. 16. № 6. P. 3547. https://doi.org/10.1116/1.590494
  10. Moreau W.M. Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials. N.Y.: Plenum Press, 1988. 986 p.
  11. Yan M., Choi S., Subramanian K.R.V., Adesida I. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2008. V. 26. № 6. P. 2306. https://doi.org/1.0.1116/1.3002562
  12. Khoury M., Ferry D.K. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. V. 14. № 1. P. 75. https://doi.org/10.1116/1.588437
  13. Nagai H. // J. Appl. Pol. Sci. 1963. V. 7. № 5. P. 1697 https://doi.org/10.1002/app.1963.070070512
  14. Willis H.A., Zichy V.J.I., Hendra P.J. // Polymer. 1969. V. 10. P.737. https://doi.org/10.1016/0032-3861(69)90101-3
  15. Patent No. 3039110 (DE). Verfahren fur Die Spannungsfreie Entwicklung von Bestrahlten Polymethylmethacrylatschichten / Siemens AG, Munich. Glasha- user W., Ghica G.-V. 16.10.1980.
  16. Goldenberg B.G., Lemzyakov A.G., Nazmov V.P., Pindyurin V.F. // Phys. Procedia. 2016. V. 84. P. 205. https://doi.org/10.1016/j.phpro.2016.11.036
  17. Piminov P.A., Baranov G.N., Bogomyagkov A.V., Berkaev D.E., Borin V.M., Dorokhov V.L., Karnaev S.E., Kiselev V.A., Levichev E.B., Meshkov O.I., Mishnev S.I., Nikitin S.A., Nikolaev I.B., Sinyatkin S.V., Vobly P.D., Zolotarev K.V., Zhuravlev A.N. // Phys. Procedia. 2016. V. 84. P. 19. https://doi.org/10.1016/j.phpro.2016.11.005
  18. Nazmov V., Goldenberg B., Vasiliev A., Asadchikov V. // J. Micromech. Microeng. 2021. V. 31. P. 055011. https://doi.org/10.1088/1361-6439/abf331
  19. El-Kholi A., Mohr J., Nazmov V. // Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A. 2000. V. 448. № 1–2. P. 497. https://doi.org/10.1016/S0168-9002(00)00239-4
  20. Kunka D., Mohr J., Nazmov V., Meiser J., Meyer P., Amberger M., Koch F., Schulz J., Walter M., Duttenhofer T., Voigt A., Ahrens G., Grützner G. // Microsyst. Technol. 2014. V. 20. № 10–11. P. 2023. https://doi.org/10.1007/s00542-013-2055-x
  21. McNamara S. // J. Micromech. Microeng. 2011. V. 21. P. 015002. https://doi.org/10.1088/0960-1317/21/1/015002

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (43KB)
3.

Скачать (69KB)
4.

Скачать (37KB)
5.

Скачать (719KB)

© В.П. Назьмов, А.В. Варанд, М.А. Михайленко, Б.Г. Гольденберг, И.Ю. Просанов, К.Б. Герасимов, 2023