Окисление и травление тонких пленок рутения в кислородной плазме при низкой энергии ионов
- Авторы: Амиров И.И.1, Алов Н.В.2, Шаранов П.Ю.2, Рахимова Т.В.2
-
Учреждения:
- Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
- Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
- Выпуск: № 11 (2024)
- Страницы: 81-86
- Раздел: Статьи
- URL: https://archivog.com/1028-0960/article/view/681227
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096024110095
- EDN: https://elibrary.ru/REOQKV
- ID: 681227
Цитировать
Аннотация
Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено, что окисление тонких пленок рутения в кислородной плазме с добавкой 5% инертных газов (Ar или Kr) происходит с образованием оксидного слоя RuO2. Обнаружено, что с увеличением энергии ионов от 20 до 140 эВ содержание кислорода в приповерхностном слое увеличивается от 60 до 70 ат. %. Скорость травления Ru также возрастала в несколько раз. Такая симбатная зависимость объясняется тем, что ионная бомбардировка поверхности стимулирует не только удаление слабосвязанных оксидов металла на поверхности, но также способствует их ускоренному образованию на поверхности. Лимитирующей стадией травления является удаление слаболетучих оксидов металла. Смещение пиков дублета Ru3d, изменение их относительной интенсивности в зависимости от энергии ионов, а также наличие обогащенного кислородом слоя на поверхности RuO2 свидетельствует о том, что в процессе плазменной обработки на поверхности может образоваться оксид RuO3.
Полный текст

Об авторах
И. И. Амиров
Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: ildamirov@yandex.ru
Россия, Ярославль, 150067
Н. В. Алов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: ildamirov@yandex.ru
Россия, Москва, 119991
П. Ю. Шаранов
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: ildamirov@yandex.ru
Россия, Москва, 119991
Т. В. Рахимова
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Email: ildamirov@yandex.ru
Россия, Москва, 119991
Список литературы
- Kim S.K., Popovici M. // MRS Bull. 2018. V.40. P. 334-338. https://doi.org/10.1557/mrs.2018.95
- Koroleva A.A., Kuzmichev D.S., Kozodaev M.G., Zabrosaev I.V., Korostylev E.V., Markeev A.M. // Appl. Phys. Lett. 2023. V.122. P. 022905. https://doi.org/10.1063/5.0138218
- Kim S.E., Sung J.Y., Jeon J.D., Jang S.Y., Lee H.M., Moon S.M., Kang J.G., Lim H.J., Jung H.-S., Lee S.W. // Adv. Mater. Technol. 2023. V. 8. P. 2200878. https://doi.org/10.1002/admt.202200878
- Chernikova A.G., Lebedinskii Y.Y., Khakimov R.R., Markeev A.M. // Appl. Phys. Lett. 2023. V. 122. P. 021601. https://doi.org/10.1063/5.0132056
- Ezzat S.S., Mani P.D., Khaniya A., Kaden W., Gall D., Barmak K., Coffey K.R. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2019. V. 37. P. 031516. https://doi.org/10.1116/1.5093494
- Paolillo S., Wan D., Lazzarino F., Rassoul N., Piumi D., Tőkei Z. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2018. V. 36. P. 03E103. https://doi.org/10.1116/1.5022283
- Decoster S., Camerotto E., Murdoch v, Kundu S., Le Q.T., Tőkei Z., Jurczak G., Lazzarino F. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2022. V. 40. P. 032802. https://doi.org/10.1116/6.0001791
- Over H. // Chem. Rev. 2012. V.112. P. 3356. https://doi.org/10.1021/cr200247n
- Hrbek J., van Campen D.G., Malik I.J. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. V. 13. P. 1409. https://doi.org/org/10.1116/1.579573
- Blume R., Niehus H., Conrad H., Böttcher A., Aballe L., Gregoratti L., Barinov A., Kiskinova M. // J. Phys. Chem. 2005. V. 109. P. 14052. https://doi.org/10.1021/jp044175x
- Yunogami T., Nojiri K. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2000. V. 18. P. 1911. https://doi.org/ 10.1116/1.1303812
- Hsu C.C., Coburn J.W., Graves D.B. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V. 24. P. 1. https://doi.org/10.1116/1.2121751
- Iwasaki Y., Izumi A., Tsurumaki H., Namiki A., Oizumi H., Nishiyama I. // Appl. Surf. Sci. 2007. V. 253. P. 8699. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2007.04.063
- Herd B., Goritzka J.C., Over H. // J. Phys. Chem. C. 2013. V. 117. P. 15148. https://doi.org/10.1021/jp404239y
- Ribera R.C., van de Kruijs R.W.E., Kokke S., Zoethout E., Yakshin A.E., Bijkerk F. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 131601. https://doi.org/10.1063/1.4896993
- Herd B., Over H. // Surface Science. 2014. V. 622. P. 24. https://doi.org/10.1016/j.susc.2013.11.017
- Flege J.I., Herd B., Goritzka J., Over H., Krasovskii E.E., Falta J. // ACS Nano. 2015. V. 9. № 8. P. 8468. https://doi.org/10.1021/acsnano.5b03393
- Khaniya A., Ezzat S., Cumston Q., Coffey K.R., Kaden W.E. // Surf. Sci. Spectra. 2020. V. 27. P. 024009. https://doi.org/10.1116/6.0000172
- Diulus J.T., Tobler B., Osterwalder J., Novotny Z. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2021. V. 54. P. 244001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/abedfd
- Алов Н.В., Лазов М.А., Ищенко А.А. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия. М.: Изд-во МИТХТ, 2013. 68 с.
- Alov N.V. // Phys. Stat. Sol. C. 2015. V. 12. Р. 263. https://doi.org/10.1002/pssc.201400108
- Amirov I.I., Izyumov M.O., Naumov V.V., Gorlachev E.S. // J. Phys. D. 2021. V. 54. P. 06520. https://doi.org/10.1088/1361-6463/abc3ed
- Voloshin D., Rakhimova T., Kropotkin A., Amirov I., Izyumov M., Lopaev D., Zotovich A., Ziryanov S. // Plasma Sources Sci. Technol. 2023. V. 32. P. 044001. https://doi.org/10.1088/1361-6595/acc355
- Krishna D.N.G., Philip J. // Appl. Surf. Sci. Adv. 2022. V. 12. P. 100332. https://doi.org/10.1016/j.apsadv.2022.100332
- Amirov I.I., Selyukov R.V., Naumov V.V., Gorlachev E.S. // Russ. Microelectronics. 2021. V. 50. P. 1. https://doi.org/10.1134/S106373972101003026
- Kanarik K.J., Tan S., Gottscho R.A. // J. Phys. Chem. Lett. 2018. V. 9. P. 4814. https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.8b00997
Дополнительные файлы
