Влияние изотермического отжига на оптические свойства кристаллов Ca3TaGa3Si2O14

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследовано влияние послеростового изотермического отжига в вакууме и на воздухе на оптические свойства образцов кристаллов Ca3TaGa3Si2O14 на срезах, перпендикулярных оси симметрии третьего порядка кристалла (Z-срез) и перпендикулярно оси симметрии второго порядка (Х-срез). Измерены спектральные зависимости коэффициентов пропускания с учетом анизотропии и дихроизма в диапазоне длин волн (240–700) нм. В исходном состоянии на Z срезе в ультрафиолетовом излучении наблюдается полоса поглощения на λ = 360 нм, в видимой области – две полосы поглощения на λ = 460 и 605 нм. На образцах Х-срезов дополнительно наблюдается полоса на λ = 290 нм; при повороте образца на 90° вокруг направления луча света наблюдается изменение интенсивности полос поглощения. Отжиг образцов в вакууме приводит к уменьшению интенсивности полос поглощения в ближнем ультрафиолетовом излучении и видимом диапазоне, кроме полосы поглощения на λ = 605 нм. Отжиг кристаллов на воздухе приводит к обратному эффекту – усилению интенсивности полос поглощения, кроме полосы λ = 605 нм. Методом Малляра оценена величина аномального двулучепреломления образцов. Рассчитана степень линейного дихроизма. Показано, что в результате отжига в вакууме степень дихроизма понижается, а при отжиге на воздухе увеличивается.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Г. Ю. Деев

НИТУ “МИСИС”

Автор, ответственный за переписку.
Email: deew.german@ya.ru
Россия, 119049, Москва

Н. С. Козлова

НИТУ “МИСИС”

Email: deew.german@ya.ru
Россия, 119049, Москва

Е. В. Забелина

НИТУ “МИСИС”

Email: zabelina@misis.ru
Россия, 119049, Москва

В. М. Касимова

НИТУ “МИСИС”

Email: deew.german@ya.ru
Россия, 119049, Москва

С. М. Пилюшко

НИТУ “МИСИС”

Email: deew.german@ya.ru
Россия, 119049, Москва

О. А. Бузанов

АО “ФОМОС-МАТЕРИАЛЫ”

Email: deew.german@ya.ru
Россия, 107023, Москва

Список литературы

  1. Медведев А.В., Медведев А.А., Руденков А.П., Муртазин Р.Р. Исследование температурных характеристик и расчет конструктивных параметров резонаторов на основе монокристаллов Ca3TaGa3Si2O14 // Оптические технологии, материалы и системы (Оптотех – 2020), Москва, Россия, 2020. С. 183.
  2. Kugaenko O.M., Uvarova S.S., Krylov S A., Senatu-lin B.R., Petrakov V.S., Buzanov O.A., Egorov V.N., Sakharov S.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2012. V. 76 P. 1258. https://www.doi.org/10.3103/S1062873812110123
  3. Schulz M., Ghanavati R., Kohler F., Wilde J., Fritze H. // J. Sensors Sensor Systems. 2021. V. 10. Iss. 2. P. 271. https://www.doi.org/10.5194/jsss-10-271-2021
  4. Yu F., Chen F., Hou S., Wang H., Wang Y., Tian S., Jiang C., Li Y., Cheng X., Zhao X. High temperature piezoelectric single crystals: Recent developments // 2016 Symposium on Piezoelectricity, Acoustic Waves, and Device Applications (SPAWDA), Xi'an, China, 2016. P. 1. https://www.doi.org/10.1109/SPAWDA.2016.7829944
  5. Fu X., Víllora E.G., Matsushita Y., Kitanaka Y., Noguchi Y., Miyayama M., Shimamura K., Ohashi N. // J. Ceram. Soc. Jpn. 2016. V. 124. P. 523. https://www.doi.org/10.2109/jcersj2.15293
  6. Chen F., Yu F., Hou S., Liu Y., Zhou Y., Shi X., Wang H., Wang Z., Zhao X. // Cryst. Eng. Comm. 2014. V. 16. P. 10286. https://www.doi.org/10.1039/C4CE01740D
  7. Wang Z.M., Yu W.T., Yuan D.R., Wang X.Q., Xue G., Shi X.Z., Xu D., Lv M.K. // New Cryst. Struct. 2003. V. 218. P. 421.
  8. Каминский А.А. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов. М.: Наука, 1986. 271 с.
  9. Takeda H, Sugiyama K, Inaba K, Shimamura R., Fukuda T. // Jpn J. Appl. Phys. 1997. V. 36. № 7B. P. 919. https://www.doi.org/10.1143/JJAP.36.L919
  10. Takeda H., Sato J., Kato T., Kawasaki K., Morikoshi H., Shimamura K., Fukuda T. // Mater. Res. Bull. 2000. V. 35. P. 245. https://www.doi.org/10.1016/S0025-5408(00)00201-4
  11. Yokota Y., Sato M., Futami Y., Tota K., Yanagida T., Onodera K., Yoshikawa A. // J. Cryst. Growth. 2012. V. 352. P. 147. https://www.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.01.012
  12. Nozawa J., Zhao H., Koyama C., Maeda K., Fujiwara K., Koizumi H., Uda S. // J. Cryst. Growth. 2016. V. 454. P. 82. https://www.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.09.005
  13. H. Kimura, S. Uda, O. Buzanov, X. Huang, Koh S. // J. Electroceramics, 2008. V. 20. P. 73. https://www.doi.org/10.1007/s10832-007-9349-2
  14. Taishi T., Hayashi T., Bamba N., Ohno Y., Yonenaga I., Hoshikawa W. // J. Phys. B. 2007. V. 401. P. 437. https://www.doi.org/10.1016/j.physb.2007.08.206
  15. Kozlova N.S., Kozlova A.P., Spassky D.A., Zabeli- na E.V. // IOP Conf. Series: Mater. Sci. Engineer. 2017. V. 169. Iss. 1. P. 012018. https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/169/1/012018
  16. Wang J., Yin X., Zhang S., Kong Y., Zhang Y., Hu X., Jiang M. // Opt. Mater. 2003. V. 23 P. 393. https://www.doi.org/10.1016/S0925-3467(02)00325-7
  17. Панич А.А., Мараховский М.А., Мотин Д.В. // Инженерный вестник Дона. 2011. Т. 15. № 1. С. 53.
  18. Yu F., Zhao X., Pan L., Li F., Yuan D., Zhang S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. V. 43. Iss. 16. P. 165402. https://www.doi.org/10.1088/0022-3727/43/16/165402
  19. Кугаенко О.М., Базалевская С.С., Сагалова Т.Б., Петраков В.С., Бузанов О.А., Сахаров С.А. // Извес- тия РАН. Сер. физическая. 2014. Т. 78. №. 10. С. 1322. https://www.doi.org/10.7868/S0367676514100135
  20. Kozlova N.S., Buzanov O.A., Kozlova A.P., Zabe- lina E.V., Goreeva Zh.A., Didenko I.S., Kasimova V.M., Chernykh A.G. // Crystallogr. Rep. 2018. V. 63. P. 216. https://www.doi.org/10.1134/S1063774518020128
  21. Забелина Е.В., Козлова Н.С., Бузанов О.А. // Оптика и спектроскопия. 2023 (в печати)
  22. Shi X., Yuan D., Wei A., Wang Z., Wang B. // Mater. Res. Bull. 2006. V. 41. P. 1052. https://www.doi.org/10.1016/j.materresbull.2005.11.019

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2. Рис. 1. Схема установки образцов X-срезов при проведении эксперимента. а – первое положение, б – второе положение.

Скачать (120KB)
3. Рис. 2. Спектральные зависимости коэффициентов пропускания образцов Z-срезов КТГС в исходном состоянии (1); после отжига в вакууме при 1000°С (2); после отжига на воздухе при 1200°С (3).

Скачать (181KB)
4. Рис. 3. Спектральные зависимости коэффициентов пропускания образцов X-срезов КТГС в первом (а, б) и втором (в, г) положениях: в исходном состоянии (1); после отжига в вакууме при 1000°С (2); после отжига на воздухе при 1200°С (3).

Скачать (642KB)
5. Рис. 4. Спектральные зависимости степени дихроизма образцов X-срезов КТГС в исходном состоянии (1); после отжига в вакууме при 1000°С (2); после отжига на воздухе при 1200°С (3).

Скачать (154KB)

© Российская академия наук, 2024