Влияние мольного отношения Sr:Bi:Ta в пленках танталата висмута-стронция SryBi2+xTa2O9 на структуру и электрофизические свойства

Обложка
  • Авторы: Киселев Д.А.1,2, Куртева Е.А.2, Семченко А.В.3, Бойко А.А.4, Судник Л.В.5, Чучева Г.В.1
  • Учреждения:
    1. Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук»
    2. Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»
    3. Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
    4. Гомельский государственный технический университет имени П.О. Сухого
    5. Институт порошковой металлургии имени академика О.В. Романа, Научно-исследовательский институт импульсных процессов с опытным производством
  • Выпуск: Том 88, № 5 (2024)
  • Страницы: 728-733
  • Раздел: Физика сегнетоэлектриков
  • URL: https://archivog.com/0367-6765/article/view/654677
  • DOI: https://doi.org/10.31857/S0367676524050064
  • EDN: https://elibrary.ru/OXNQID
  • ID: 654677

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Золь-гель методом получены поликристаллические тонкие пленки танталата висмута-стронция SryBi2+xTa2O9 с различным мольным отношением Sr:Bi:Ta. Установлено формирование фазы со структурой перовскита. Фазовые переходы подтверждены методом диэлектрической спектроскопии. В режиме спектроскопии переключения поляризации получены остаточные петли пьезоэлектрического гистерезиса, подтверждающие сегнетоэлектрическую природу синтезированных пленок SryBi2+xTa2O9.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Д. А. Киселев

Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук»; Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Фрязино; Москва

Е. А. Куртева

Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Москва

А. В. Семченко

Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Белоруссия, Гомель

А. А. Бойко

Гомельский государственный технический университет имени П.О. Сухого

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Белоруссия, Гомель

Л. В. Судник

Институт порошковой металлургии имени академика О.В. Романа, Научно-исследовательский институт импульсных процессов с опытным производством

Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Минск

Г. В. Чучева

Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки «Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук»

Автор, ответственный за переписку.
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Россия, Фрязино

Список литературы

  1. Muralt P., Polcawich R.G., Trolier-McKinstry S. // MRS Bulletin. 2009. V. 34. P. 658.
  2. Qiu Y., Gigliotti J.V., Wallace M. et al. // Sensors. 2015. V. 15. No. 4. P. 8020.
  3. Aabid A., Raheman M.A., Ibrahim Y.E. et al. // Sensors. 2021. V. 21. No. 2. P. 4145.
  4. Abdullaev D.A., Milovanov R.A., Volkov R.L. et al. // Russ. Technol. J. 2020. V. 8. No. 5. P. 44.
  5. Попов В.П., Антонов В.А., Тихоненко Ф.В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2023. Т. 87. № 6. С. 867; Popov V.P., Antonov V.A., Tikhonenko F.V. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2023. V. 87. No 6. P. 760.
  6. Li S., Wang Y., Yang M. et al. // Mater. Adv. 2022. V. 3. No. 14. P. 5735.
  7. Semchenko A.V., Ayvazyan G.Y., Malyutina-Bronskaya V.V. et. al. // Photonics. 2023. V. 10. P. 845.
  8. Semchenko A.V., Sidsky V.V. et. al. // Materials. 2021. V. 14. P. 1694.
  9. Bian J., Xue P., Zhu R. et al. // Appl. Mater. Today. 2020. V. 21. Art. No. 100789.
  10. Zanetti S.M., Bueno P.R., Leite E. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 6. P. 3416.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Рентгенограммы SBT-пленок с разным мольным соотношением Sr:Bi:Ta: 1 — Sr(Bi3.4Ta2.8) O9; 2 — Sr0.4(Bi3.4Ta2.8) O9; 3 — Sr0.3(Bi3.5Ta2.8) O9.

Скачать (233KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости на частоте 1 кГц (а) и полевые зависимости поляризации (б) для SBT-пленок, полученных золь-гель методом, с разным мольным соотношением Sr:Bi:Ta: 1 — Sr(Bi3.4Ta2.8) O9; 2 — Sr0.4(Bi3.4Ta2.8) O9; 3 — Sr0.3(Bi3.5Ta2.8) O9.

Скачать (399KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Топография (а, б, в) и сигнал поверхностного потенциала (г, д, е) после предварительной поляризации (темный квадрат при –10 В, светлый +10 В) для пленок: а, г — Sr(Bi3.4Ta2.8)O9; б, д — Sr0.4(Bi3.4Ta2.8)O9; в, е — Sr0.3(Bi3.5Ta2.8)O9.

Скачать (1MB)
Метаданные
5. Рис. 4. Профили сигнала поверхностного потенциала (а), проведенные посередине изображений на рисунке 3 (правая колонка), изображения петель пьезоэлектрического гистерезиса (б) для SBT-пленок с разным мольным соотношением Sr:Bi:Ta: 1 — Sr(Bi3.4Ta2.8)O9; 2 — Sr0.4(Bi3.4Ta2.8)O9; 3 — Sr0.3(Bi3.5Ta2.8)O9.

Скачать (285KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024