Механизмы объемного захвата быстрых заряженных частиц в изогнутом монокристалле
- Авторы: Мазур Е.А.1,2
-
Учреждения:
- Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
- Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ
- Выпуск: № 3 (2025)
- Страницы: 7-16
- Раздел: Статьи
- URL: https://archivog.com/1028-0960/article/view/687519
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1028096025030021
- EDN: https://elibrary.ru/EKSVDY
- ID: 687519
Цитировать
Аннотация
Изучен эффект объемного захвата быстрых заряженных частиц в изогнутом кристалле. Исследованы потери поперечной энергии, эффект зависания и критерий объемного захвата быстрых заряженных частиц. Рассмотрены возможные механизмы объемного захвата: потери поперечной энергии вследствие возбуждения кристалла быстрой заряженной частицей (протоном, лептоном); многократное рассеяние частиц в изогнутом кристалле; упругое рассеяние и дифракция частиц в изогнутом кристалле. Показано, что в области зависания отношение скоростей поперечных и продольных потерь энергии быстрых заряженных частиц существенно увеличивается по сравнению с отношением значений продольной и поперечной энергии и по порядку величины равно отношению недиагональных элементов обратной матрицы диэлектрической проницаемости к диагональным. Установлено, что за эффект объемного захвата быстрых протонов (лептонов) отвечают процессы дифракции в изогнутом кристалле, а также эффекты затухания недиагональных элементов матрицы плотности частиц. Предложенный дифракционный механизм основан на учете квантового когерентного рассеяния быстрого протона (лептона) в изогнутом кристалле.
Полный текст

Об авторах
Е. А. Мазур
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”; Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ
Автор, ответственный за переписку.
Email: eugen_mazur@mail.ru
Россия, Москва; Москва
Список литературы
- Tsyganov E.N. Estimates of Cooling and Bending Processes for Charged Particles Penetration through a Monocrystal. Fermilab-TM-0684. 1976. 9 p.
- Каплин В.В., Воробьев С.А. // Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4. Вып. 5. С. 196.
- Феранчук В.Д. // ЖТФ. 1981. Т. 51. Вып. 2. С. 270.
- Desalvo A., Rosa R. // J. Phys. C. 1977. V. 10. P. 1595.
- Мазур Е.А. // Нестационарные процессы в диэлектриках и полупроводниках. М.: Энергоатомиздат, 1986. С. 7.
- Мазур Е.А. // Исследования поверхностных и объемных свойств твердых тел по взаимодействию частиц. М.: Энергоатомиздат, 1984. С. 53.
- Андреев В.А., Баублис В.В., Дамаскинский Е.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1992. Т. 36. Вып. 9. С. 340.
- Андреев В.А., Баублис В.В., Дамаскинский Е.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1984. Т. 39. Вып. 2. С. 56.
- Андреев В.А., Баублис В.В., Дамаскинский Е.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т. 41. Вып. 9. С. 408.
- Андреев В.А., Баублис В.В., Дамаскинский Е.А. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 44. Вып. 2. С. 101.
- Мазур Е.А. // Неравновесные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Энергоатомиздат, 1988. С. 48.
- Таратин А.М., Воробьев С.А. // ЖТФ. 1985. Т. 55. Вып. 8. С. 1598.
- Mazur E.A. // J. Surf. Invest.: X-ray, Synchrotron Neutron Tech. 2023. V. 17. № 2. Р. 371.
- Давыдов А.С. Теория твердого тела. М.: Наука, 1976. 639 с.
- Явлинский Ю.Н. // ЖЭТФ. 1981. Т. 80. Вып. 4. С. 1622.
- Кумахов М.А., Ширмер Г. Атомные столкновения в кристаллах. М.: Атомиздат, 1980. 192 с.
- Каган Ю.М., Кононец Ю.В. Квантовая теория каналирования. М.: МИФИ, 1976. 86 с.
- Ахиезер А.И., Пелетминский С.В. Методы статистической физики. М.: Наука, 1977. 366 с.
- Белошицкий В.В., Кумахов М.А. // ЖЭТФ. 1982. Т. 82. Вып. 2. С. 462.
- Оцуки У.-Х. Взаимодействие заряженных частиц с твердыми телами. М.: Мир, 1985. 280 с.
- Калашников Н.П. Когерентные взаимодействия заряженных частиц в монокристаллах. М.: Атомиздат, 1981. 224 с.
- Фистуль В.И. Новые материалы (состояние проблемы и перспективы). М.: МИСИС, 1995. 142 с.
- Вавилов B.C. Киселев В.Ф. Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука,1990. 216 с.
- Мазур Е.А. // ЖТФ. 1988. T. 58. № 5. C. 987.
- Маркус А.М., Гегузин Я.Е., Файнштейн А.Л. // ЖЭТФ. 1971. Т. 61. Вып. 1. С. 332.
Дополнительные файлы
