Fotoelektricheskaya priroda antibakterial'noy aktivnosti nanokompozita ZnO/CuO

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

В работе проведено исследование антибактериальных свойств пленок ZnO/CuO, активируемых при освещении светодиодной лампой со спектром излучения, близким к естественному солнечному свету, на примере антибиотико-резистентной бактериальной культуры S.aureus. Антибактериальные свойства пленок связаны с фотоиндуцированной электропорацией клеток вследствие возникновения разности потенциалов между полупроводниковыми наночастицами n-типа ZnO и p-типа CuO с локальным увеличением напряженности поля до величины ∼1·104 В/см, достаточной для протекания необратимой электропорации. Экспонирование приводит к снижению бактериальной обсемененности со значения 8×108 КОЕ/мл до 0. Спектры комбинационного рассеяния света до и после экспонирования были проанализированы с помощью расчета параметров спектральных пиков, соответствующих молекулярным колебаниям в нуклеиновых кислотах, клеточной мембране и белках. Было обнаружено исчезновение или деградация пиков, иллюстрирующих колебания A, G в нуклеиновых кислотах, нарушение вторичной структуры белков и появление разупорядоченных форм амида I, а также возникновение разупорядоченности цепочек липидов в мембране и разрушение N-ацетилмурамовой кислоты и N-ацетилглюкозамина, входящих в состав клеточной стенки грамположительных микроорганизмов, что свидетельствует о разрушении клеточной стенки и необратимых разрушениях внутренней структуры клеток.

作者简介

I. Saraeva

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Email: saraevain@lebedev.ru
Москва, Россия

D. Zayarnyy

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Москва, Россия

A. Nastulyavichus

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Москва, Россия

E. Tolordava

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Москва, Россия

E. Ulturgasheva

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Москва, Россия

P. Krikunova

Национальный исследовательский центр Курчатовский институт

Москва, Россия

S. Kudryashov

Физический институт им. П.Н.Лебедева РАН

Москва, Россия

参考

  1. R.D.C. Soltani, S. Jorfi, M. Safari, and M.S. Rajaei, J. Environ. Manag. 179, 47 (2016).
  2. F. Cao, T. Wang, and X. Ji, Applied Surface Science 471, 417 (2019).
  3. В. В. Томаев, В. А. Полищук, Н. Б. Леонов, Т. А. Вартанян, Известия РАН. Серия физическая 87(10), 1446 (2023).
  4. К. В. Ларионов, П. Б. Сорокин, Успехи физических наук 191(1), 30 (2021).
  5. В.П. Вейко, Ю.Ю. Карлагина, В. В. Романов, Р. М. Яцук, Е. Е. Егорова, Е. А. Зерницкая, А. И. Яременко, Г. Н. Черненко, С. Г. Одинцова, Г. В. Горный, Фотоника 14(6), 510 (2020).
  6. Н. А. Босак, А. Н. Чумаков, А. А. Шевченок, Л. В. Баран, А. Г. Кароза, В. В. Малютина-Бронская, А. А. Иванов, Журнал прикладной спектроскопии 88(2), 221 (2021).
  7. О. А. Реутова, В. А. Светличный, Известия РАН. Серия физическая 86(7), 949 (2022).
  8. А. Э. Муслимов, И. Д. Веневцев, Л. А. Задорожная, П.А. Родный, В. М. Каневский, Письма в ЖЭТФ 112(8), 240 (2020).
  9. С. Н. Багаев, С. М. Аракелян, А. О. Кучерик, Д. Н. Бухаров, О. Я. Бутковский, Известия РАН. Серия физическая 84(12), 1682 (2020).
  10. K. P. Sapkota, I. Lee, S. Shrestha, A. Islam, A. Hanif, J. Akter, and J. R. Hahn, Journal of Environmental Chemical Engineering 9(6), 106497 (2021).
  11. M. K. Hussain, N. R. Khalid, M. B. Tahir, M. Tanveer, T. Iqbal, and M. Liaqat, Materials Science in Semiconductor Processing 155, 107261 (2023).
  12. V. D. Thinh, V. D. Lam, T. N. Bach, N.D. Van, D.H. Manh, D.H. Tung, and N. T. H. Le, J. Electron. Mater. 49, 2625 (2020).
  13. J. Singh and R. K. Soni, Applied Surface Science 521, 146420 (2020).
  14. J. Trakulmututa, C. Chuaicham, S. Shenoy, A. Srikhaow, K. Sasaki, and S. M. Smith, Opt. Mater. 133, 112941 (2022).
  15. N. D.Dien, P. T. T. Ha, X. H. Vu, T. T. Trang, T. D. T. Giang, and N. T. Dung, RSC Advances 13(35), 24505 (2023).
  16. Y. Lv, J. Liu, J. Liu, Z. Zhang, W. Zhang, A. Wang, F. Tian, W. Zhao, J. Yan, Mater. Chem. Phys. 267, 124703 (2021).
  17. L. Xu, Y. Zhou, Z. Wu, G. Zheng, J. He, and Y. Zhou, J. Phys. Chem. Solids 106, 29 (2017).
  18. N. Widiarti, J. K. Sae, and S. Wahyuni, Conference Series: Materials Science and Engineering 172(1), 012036 (2017).
  19. A. Al Baroot, M. Alheshibri, Q. A. Drmosh, S. Akhtar, E. Kotb, and K. A. Elsayed, Arabian Journal of Chemistry 15(2), 103606 (2022).
  20. K. E. Kone, A. Bouich, D. Soro, and B. M. Soucase, Opt. Quantum Electron. 55, 616 (2023); https://doi.org/10.1007/s11082-023-04892-9.
  21. A. Sanchis, A. P. Brown, M. Sancho, G. Martinez, J. L. Sebastian, S. Munoz, and J. M. Miranda, The European Bioelectromagnetics Association 28(5), 393 (2007).
  22. D. M. Fernandes, R. Silva, A. W. Hechenleitner, E. Radovanovic, M. C. Melo, and E. G. Pineda, Mater. Chem. Phys. 115(1), 110 (2009).
  23. A. Alsulmi, N. N. Mohammed, A. Soltan, M. A. Messih, and M. A. Ahmed, RSC Advances 13(19), 13269 (2023).
  24. T. Kotnik, W. Frey, M. Sack, S. H. Meglic, M. Peterka, and D. Miklavcic, Trends Biotechnol 33, 480 (2015).
  25. G. Pezzotti, J. Raman Spectrosc. 52(12), 2348 (2021).
  26. G. Azemtsop Matanfack, A. Pistiki, P. Rosch, and J. Popp, Life 11(10), 1003 (2021).
  27. F. U. Ciloglu, A.M. Saridag, I. H. Kilic, M. Tokmakci, M. Kahraman, and O. Aydin, Analyst 145(23), 7559 (2020).
  28. S. Pramanik, S. Chatterjee, A. Saha, P. S. Devi, and G. Suresh Kumar, J. Phys. Chem. B 120(24), 5313 (2016).
  29. K. Gardikis, S. Hatziantoniou, K. Viras, M. Wagner, and C. Demetzos, Int. J. Pharm. 318(1-2), 118 (2006).
  30. M. He, T. Wu, S. Pan, and X. Xu, Applied Surface Science 305, 515 (2014).
  31. I. R. Hill and I. W. Levin, J. Chem. Phys. 70(2), 842 (1979).
  32. M. He, T. Wu, S. Pan, and X. Xu, Appl. Surf. Sci. 305, 515 (2014).
  33. A. C. Williams and H. G. M. Edwards, J. Raman Spectrosc. 25(7-8), 673 (1994).
  34. I. Saraeva, D. Zayarny, E. Tolordava, A. Nastulyavichus, R. Khmelnitsky, D. Khmelenin, S. Shelygina, and S. Kudryashov, Chemosensors 11(7), 361 (2023).
  35. L. Cui, P. Chen, S. Chen, Z. Yuan, C. Yu, B. Ren, and K. Zhang, Anal. Chem. 85(11), 5436 (2013).

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML

版权所有 © Российская академия наук, 2024