Polnost'yu opticheskaya skaniruyushchaya spektroskopiya antiperesecheniya elektronnykh i yadernykh spinovykh urovney v kristalle 4H-SiC

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Полностью оптическими методами зарегистрированы при комнатной температуре переходы в системе взаимодействующих электронных и ядерных спинов в центрах окраски c S = 3/2 в кристалле 4H-SiC с природным изотопным составом. Гигантские изменения фотолюминесценции в объеме ∼1 мкм3, при непрерывном и импульсном лазерном возбуждении, происходят в области антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней. Обнаружено оптическое проявление переворота ядерного спина изотопа 29Si при сохранении проекции спина электрона. Все точки антипересечения спиновых подуровней, связанных сверхтонкими взаимодействиями, идентифицированы, что открывает возможности для наблюдения подобных эффектов в семействе квартетных спиновых центров в других политипах SiC.

作者简介

K. Likhachev

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

Email: kirilll28.1998@gmail.com
С.-Петербург, Россия

I. Veyshtort

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

M. Uchaev

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Университет ИТМО

С.-Петербург, Россия

A. Batueva

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

V. Yakovleva

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

A. Gurin

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

R. Babunts

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

P. Baranov

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

参考

  1. P. G. Baranov, I. V. Il’in, E. N. Mokhov, M. V. Muzafarova, S. B. Orlinskii, and J. Schmidt, JETP Lett. 82, 441 (2005).
  2. P. G. Baranov, A. P. Bundakova, I. V. Borovykh, S. B. Orlinskii, R. Zondervan, and J. Schmidt, JETP Lett. 86, 202 (2007).
  3. P. G. Baranov, A. P. Bundakova, A. A. Soltamova, S. B. Orlinskii, I. V. Borovykh, R. Zondervan, R. Verberk, and J. Schmidt, Phys. Rev. B 83, 125203 (2011).
  4. W. F. Koehl, B. B. Buckley, F. J. Heremans, G. Calusine, and D. D. Awschalom, Nature 479, 84 (2011).
  5. A. N. Anisimov, R. A. Babunts, S. V. Kidalov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, and P. G. Baranov, JETP Lett. 104, 82 (2016).
  6. D. Simin, V. A. Soltamov, A. V. Poshakinskiy, A. N. Anisimov, R. A. Babunts, D. O. Tolmachev, E. N. Mokhov, M. Trupke, S. A. Tarasenko, A. Sperlich, P. G. Baranov, V. Dyakonov, and G. V. Astakhov, Phys. Rev. X 6, 031014 (2016).
  7. M. Widmann, S.-Y. Lee, T. Rendler, N. T. Son, H. Fedder, S. Paik, L.-P. Yang, N. Zhao, S. Yang, I. Booker, A. Denisenko, M. Jamali, S. A. Momenzadeh, I. Gerhardt, T. Ohshima, A. Gali, E. Janzen, and J. Wrachtrup, Nat. Mater. 14, 164 (2015).
  8. P. G. Baranov, H.-J. von Bardeleben, F. Jelezko, and J. Wrachtrup, Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures: Basic and Advanced Applications, Springer Series in Materials Science, Springer-Verlag GmbH Austria (2017), v. 253, ch. 6.
  9. C. J. Cochrane, J. Blacksberg, M. A. Anders, and P. M. Lenahan, Sci. Rep. 6, 37077 (2016).
  10. H. Wieder and T. G. Eck, Phys. Rev. 153, 103 (1967).
  11. В. Г. Грачев, ЖЭТФ 92, 1834 (1987) [V. G. Grachev, Sov. Phys. JETP 65, 1029 (1987)].
  12. S. Stoll and A. Schweiger, J. Magn. Reson. 178(1), 42 (2006).
  13. V. A. Soltamov, B. V. Yavkin, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, A. G. Badalyan, V. Yu. Davydov, E. N. Mokhov, I. I. Proskuryakov, S. B. Orlinskii, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 115, 247602 (2015).
  14. Р. А. Бабунц, А. Н. Анисимов, И. Д. Бреев, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, Письма в ЖЭТФ 114, 533 (2021).
  15. V. A. Soltamov, B. V. Yavkin, G. V. Mamin, S. B. Orlinskii, I. D. Breev, A. P. Bundakova, R. A. Babunts, A. N. Anisimov, and P. G. Baranov, Phys. Rev. B 104, 125205 (2021).
  16. D. V. Sosnovsky and K. L. Phys. Rev. B 103, 014403 (2021).
  17. A. Csóré, N. T. Son, and A. Gali, Phys. Rev. B 104, 035207 (2021).
  18. V. A. Soltamov, B. V. Yavkin, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, A. G. Badalyan, V. Yu. Davydov, E. N. Mokhov, I. I. Proskuryakov, S. B. Orlinskii, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 115, 247602 (2015).
  19. Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, Письма в ЖЭТФ 118, 639 (2023).
  20. A. N. Anisimov, D. Simin, V. A. Soltamov, S. P. Lebedev, P. G. Baranov, G. V. Astakhov, and V. Dyakonov, Nature Scientific Rep orts 6, 33301 (2016); doi: 10.1038/srep33301.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载

版权所有 © Российская академия наук, 2024