Граница области стеклообразования в тройных системах Tm–As–S и Tm–As–Se

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

На основании данных, полученных комплексными методами физико-химического анализа по исследованию различных разрезов тройных систем Tm–As–S(Se) и используя литературные данные, определена граница области стеклообразования системы Tm–As–S и Tm–As–Se. Установлено, что при скорости охлаждения 10°C/мин в системе Tm–As–S область стеклообразования стекла системы составляет 33 aт. % от общей площади треугольника, а при скорости охлаждения 102°C/мин 51 aт. % от общей площади треугольника. В системе Tm–As–Se при указанных режимах охлаждения область стекла составляет 35 и 54 aт. % соответственно.

Об авторах

Т. М. Ильяслы

Бакинский государственный университет

Email: zakir-51@mail.ru
Азербайджан, 1148, Баку, ул. З. Халилова, 23

Г. Г. Гахраманова

Бакинский государственный университет

Email: zakir-51@mail.ru
Азербайджан, 1148, Баку, ул. З. Халилова, 23

З. И. Исмаилов

Бакинский государственный университет

Автор, ответственный за переписку.
Email: zakir-51@mail.ru
Азербайджан, 1148, Баку, ул. З. Халилова, 23

Список литературы

  1. Дембовский С.А. Стеклообразование. М.: Наука, 1990. 380 с.
  2. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. ЛГУ. 1983. 263 с.
  3. Цэндин К.Д. Электронные явления в стеклообразных полупроводниках. М.: Наука, 1996. 486 с.
  4. Козюхин С.А., Файрушин А.Р., Воронков Э.Н. Свойства аморфных пленок халь когенидов мышьяка, модифицированных комплексными соединениями редкоземельных элементов // Физика и техника полупроводников. 2005. Т. 39(8). С. 1012–2016.
  5. Фатуллаева Г.М., Бахтиярлы И.Б., Керимли О.Ш. Физико-химические исследования стеклообразования в системе As2S3–Er2O3. // Журн. Учен. Записки. 2017. № 2. С. 102–106.
  6. Худиева А.Г., Ильяслы Т.М., Исмаилов З.И. Исследование тройной системы Nd–As–S по различном разрезом // Международный журн. прикладных и фундаменталных исследований. 2016. № 4(5). С. 902–905.
  7. Mochalov L., Logunov A., Zelentsov S., Kudryashov M., Nezhdanov A., Gogova D., Mashin A.A Novel method for synthesis of arsenic sulfide films employing conversion of arsenic monosulfide in a plasma discharge // Superlattices and Microstructures. 2018. V. 120. P. 264–271.
  8. Ильяслы Т.М., Гахраманова Г.Г., Исмаилов З.И. // Стеклоообразование в тройной системе Tm–As–S // East European Scientific J. 2018. № 3(2). С. 60–64.
  9. Zakery A., Elliott S. Optical properties and applications of chalcogenide glasses: a review // J. Non-Crystalline Solids. 2003. № 1–3(330). P. 1–12.
  10. Ilyasly T.M., Gahramanova G.H., Abbasova R.F., Veysova S.M., İsmailov Z.İ. İnvestigation of the electrical properties of glasses of Tm–As–S and Tm–As–Se systems // Neü materials, Compounds and Applications. Baku: 2021. V. 5. № 3. P. 227–234.
  11. Ильяслы Т.М., Гахраманова Г.Г., Наджафоглы Г. Кристаллизация стекло на основе As2S3 c участием Tm методом ДТА // Евразийский Союз Ученых (ЕСУ). 2019. Т. 3(60). С. 44–46.
  12. Ильяслы Т.М., Садыгов Ф.М., Байрамова У.Р., Мамедова Л.М., Кахраманова Г.Г. Квазибинарные разрезы As2S3–ТmS и As2S3–Тm2S3 тройной системы Тm–As–S // Межд-ный журн. прекд. и фунда-ных иссл-ный. 2017. № 8. Ч. 1. С. 40–44.
  13. Ильяслы Т.М., Худиева А.Г., Исмаилов З.И. Стеклообразования и свойства стекол на основе As2S3 с участием Dy и его сульфидов // Евразийский Союз Ученых (ЕСУ). 2019. Т. 3(60). С. 62–66.
  14. Ashok U., Monali V., Yogesh S. Synthesis of Nanostructured As2S3 thin films by chemical Route: Effect of complexing agent // İnternational Conference: Benchmarks in Engineering Science and Technology İCBEST, -7-8 September, 2012. P. 15–17.
  15. Ильяслы Т.М., Гасанова Д.Т., Исмаилов З.И. Исследование области стеклообразования по разрезам As2S3-HoS и As2S3-Ho2S3 // Восточно Европейский журн. 2021. Т. 2(66). С. 72–77.
  16. Виноградова Г.З. Стеклообразование и фазовые равновесия в халькогенидных системах. Двойные и тройные системы. М.: Наука, 1984. 176 с.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
2.

Скачать (70KB)
3.

Скачать (71KB)
4.

Скачать (13KB)

© Т.М. Ильяслы, Г.Г. Гахраманова, З.И. Исмаилов, 2023