OSTsILLYaTsII RABI PRI TREKhFOTONNOM LAZERNOM VOZBUZhDENII ODINOChNOGO RIDBERGOVSKOGO ATOMA RUBIDIYa V OPTIChESKOY DIPOL'NOY LOVUShKE
- Authors: Beterov I.I1,2,3,4, Yakshina E.A1,2,4, Suliman G.1,2, Betleni P.I1,2, Prilutskaya A.A1,2, Skvortsova D.A1,3, Zagirov T.R1,2, Tret'yakov D.B1,2, Entin V.M1, Bezuglov N.N1,5, Ryabtsev I.I1,2
-
Affiliations:
- Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
- Новосибирский государственный университет
- Новосибирский государственный технический университет
- Институт лазерной физики Сибирского отделения Российской академии наук
- Санкт-Петербургский государственный университет
- Issue: Vol 166, No 4 (2024)
- Pages: 535-547
- Section: Articles
- URL: https://archivog.com/0044-4510/article/view/653818
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0044451024100109
- ID: 653818
Cite item
Abstract
About the authors
I. I Beterov
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университет; Новосибирский государственный технический университет; Институт лазерной физики Сибирского отделения Российской академии наук
Email: beterov@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
E. A Yakshina
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университет; Институт лазерной физики Сибирского отделения Российской академии наукНовосибирск, Россия; Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
G. Suliman
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университетНовосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
P. I Betleni
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университетНовосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
A. A Prilutskaya
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университетНовосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
D. A Skvortsova
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный технический университетНовосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
T. R Zagirov
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университетНовосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
D. B Tret'yakov
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университетНовосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
V. M Entin
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наукНовосибирск, Россия
N. N Bezuglov
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Санкт-Петербургский государственный университетНовосибирск, Россия; Санкт-Петербург, Россия
I. I Ryabtsev
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук; Новосибирский государственный университет
Email: ryabtsev@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия
References
- S. J. Evered, D. Bluvstein, M. Kalinowski, et al., Nature 622, 268 (2023).
- H. J. Manetsch, G. Nomura, E. Bataille, K.˝. Leung, X. Lv, and M. Endres, arXiv: 2403.12021 (https://arxiv.org/abs/2403.12021).
- T. F. Gallagher, Rydberg Atoms, Cambridge University Press, Cambridge (1994).
- D. Jaksch, J. I. Cirac, P. Zoller, S. L. Rolston, R. Cote, M. D. Lukin, Phys. Rev. Lett. 85, 2208 (2000).
- M. Saffman, J. Phys. B 49, 202001 (2016).
- L. Henriet, L. Beguin, A. Signoles, T. Lahaye, A. Browaeys, G.-O. Reymond, and C. Jurczak, Quantum 4, 327 (2020).
- T. Cubel, B. K. Teo, V. S. Malinovsky, J. R. Guest, A. Reinhard, B. Knuffman, P. R. Berman, and G. Raithel, Phys. Rev. A 72, 023405 (2005).
- M. Reetz-Lamour, J. Deiglmayr, T. Amthor, and M. Weidemuller, New J. Phys. 10, 045026 (2008).
- T. M. Graham, Y. Song, J. Scott et al., Nature 604, 457 (2022).
- P. Thoumany, T. Hansch, G. Stania, L. Urbonas, and Th. Becker, Opt. Lett. 34, 1621 (2009).
- V. A. Sautenkov, S. A. Saakyan, A. A. Bobrov, E.V. ˙ Vilshanskaya, B. B. Zelener, and B. V. Zelener, ˙ J. Opt. Soc. Am. B 35, 1546 (2018).
- P. Cheinet, K.-L. Pham, P. Pillet, I. I. Beterov, I. N. Ashkarin, D. B. Tretyakov, E. A. Yakshina, V. M. Entin, and I. I. Ryabtsev, Quantum Electronics 50, 213 (2020)].
- I. N. Ashkarin, I. I. Beterov, E. A. Yakshina, D. B. Tretyakov, V. M. Entin, I. I. Ryabtsev, P. Cheinet, K.-L. Pham, S. Lepoutre, and P. Pillet, Phys. Rev. A 106, 032601 (2022).
- I. I. Ryabtsev, I. I. Beterov, D. B. Tretyakov, V. M. Entin, E. A. Yakshina, Phys. Rev. A 84, 053409 (2011).
- V. M. Entin, E. A. Yakshina, D. B. Tretyakov, I. I. Beterov, and I. I. Ryabtsev, JETP 116, 721 (2013)].
- E. A. Yakshina, D. B. Tretyakov, V. M. Entin, I. I. Beterov, and I. I. Ryabtsev, Quantum Electronics 48, 886 (2018)].
- E. A. Yakshina, D. B. Tretyakov, V. M. Entin, I. I. Beterov, I. I. Ryabtsev, JETP 130, 170 (2020)].
- D. B. Tretyakov, V. M. Entin, E. A. Yakshina, I. I. Beterov, and I. I. Ryabtsev, Quantum Electronics 52, 513 (2022)].
- I. I. Beterov, E. A. Yakshina, D. B. Tretyakov, N. V. Al’yanova, D. A. Skvortsova, G. Suliman, T. R. Zagirov, V. M. Entin, and I. I. Ryabtsev, JETP 137, 246 (2023)].
- G. S. Agarwal, Phys. Rev. Lett. 37, 1383 (1976).
- S. M. Bohaichuk, F. Ripka, V. Venu, F. Christaller, C. Liu, M. Schmidt, H. Kobler, and J. P. Shaffer, arXiv: 2304.07409 (https://arxiv.org/abs/2304.07409).
Supplementary files
