MOLEKULYaRNO-LUChEVAYa EPITAKSIYa TVERDOGO RASTVORA GaPxAs1−x NA VITsINAL'NOY POVERKhNOSTI (001): KINETIChESKAYa MODEL' FORMIROVANIYa SOSTAVA V ANIONNOY PODREShETKE

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Предложена кинетическая модель процесса формирования состава в анионной подрешетке твердого раствора GaPxAs1−x при молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As2 и P2. В основу модели положен двумерно-слоевой механизм роста, при котором террасы, имеющие реконструированную поверхность, последовательно достраиваются в областях роста, локализованных в изломах ступеней. Рассмотрены элементарные процессы массопереноса в областях роста, на поверхности террас, а также на их краях. Путем сравнения расчетных значений x с экспериментальными данными определены кинетические константы модели. Включение в рассмотрение обменных процессов в анионном слое на поверхности и краях террас вне областей роста позволило объяснить влияние температуры подложки, скорости роста и величины угла отклонения поверхности подложки от грани (001) на состав твердого раствора в подрешетке элементов пятой группы.

Авторлар туралы

M. Putyato

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: e2a@isp.nsc.ru
630090, Новосибирск, Россия

E. Emel'yanov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

M. Petrushkov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

A. Vasev

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

B. Cemyagin

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

V. Preobrazhenskiy

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Email: email@example.com
630090, Новосибирск, Россия

Әдебиет тізімі

  1. S. Martini, A. A. Quivy, A. Tabata, and J.R.Leite, Vac. Sci. Techn. B 18, 1991 (2000), doi: 10.1116/1.1303851.
  2. R. K. Tsui, J. A. Curless, G. D. Kramer, and M.S.Peffley, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 2570 (1985), doi: 10.1063/1.335884.
  3. Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, УФН 178, 459 (2008), doi: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459.
  4. K. Mochizuki and T. Nishinaga, Jpn. J. Appl. Phys.27, 1585 (1988), doi: 10.1143/JJAP.27.1585.
  5. J. R. Arthur, Surf. Sci. 43, 449 (1974), doi: 10.1116/1.1317818.
  6. C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci. 64, 293 (1977), doi: 10.1016/0039-6028(77)90273-4.
  7. K. Ploog, Ann. Rev. Mater. Sci. 11, 171 (1981), doi: 10.1146/annurev.ms.11.080181.001131.
  8. J. M. Van Hove, P. J. Cohen, and J. Vac. Sci. Technol.20, 726 (1982), doi: 10.1063/1.96017.
  9. C. E. C. Wood, C. R. Stanley, G. W. Wicks, and M. B. Esi, J.Appl. Phys. 54, 1868 (1983), doi: 10.1063/1.332239.
  10. Y. H. Wang, W. C. Liu, C. Y. Chang, and S.A.Liao, J. Vac. Sci. Technol. B 4(1), 30 (1986), doi: 10.1116/1.583319.
  11. T. Nomura, H. Ogasawara, M. Miyao, and M. Hagino,J. Crystal Growth 111, 61 (1991), doi: 10.1016/00220248(91)90947-4.
  12. S. Yu. Karpov and M. A. Maiorov, Surf. Sci. 393, 108 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(97)00563-3.
  13. E. S. Tok, J. H. Neave, F. E. Allegretti, J. Zhang,T.S.Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 371, 277 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
  14. Yu. G. Galitsyn, S. P. Moshchenko, and A.S.Suranov, Phys. Low-Dim. Struct. 7/8, 81 (1998).
  15. Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б .Р. Семягин,Д.Ф.Феклин, В. В. Преображенский, ФТП 49, 163 (2015).
  16. R. Heckingbottom, G. J. Davies, and K. A. Prior, Surf. Sci. 132, 375 (1983), doi: 10.1016/00396028(83)90548-4.
  17. R. Heckingbottom, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 572 (1985), doi: 10.1116/1.583182.
  18. H. Seki and A. Koukitu, J. Cryst. Growth 78, 342 (1986), doi: 10.1016/0022-0248(86)90070-9.
  19. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, ФТП 22, 1729 (1988).
  20. S. V. Ivanov, P. D. Altukhov, T. S. Argunova,A.A.Bakun, A. A. Budza, V. V. Chaldyshev, Yu.A.Kovalenko, P. S.Kop’ev, R. N. Kutt, B.Ya.Meltser, S. S. Ruvimov, S. V. Shaposhnikov, L. M. Sorokin, and V. M. Ustinov, Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993), doi: 10.1088/02681242/8/3/008.
  21. А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, В.М.Устинов, П. С. Копьев, ФТФ 31, 1153 (1997), doi: 10.1134/1.1187033.
  22. В. В. Преображенский, В. П. Мигаль, Д. И. Лу-бышев, Поверхность. Физика, химия, механика 9, 156 (1989).
  23. В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семя-гин, ФТП 36, 897 (2002).
  24. Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, T. Kitada, S.Shimomura, and S. Hiyamizu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1549 (2000), doi: 10.1116/1.591424.
  25. C. T. Foxon, B. A. Joyce, and M. T. Norris,J.Gryst. Growth. 49, 132 (1980), doi: 10.1016/00220248(80)90073-1.
  26. B. W. Liang and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 72, 2806 (1992), doi: 10.1063/1.351532.
  27. T. Shitara, D. D. Vvedensky, M. R. Wilby, J. Zhang,J. H. Neave, and B. A. Joyce, Phys. Rev. B 46, 6825 (1992), doi: 10.1103/physrevb.46.6825.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу

© Russian Academy of Sciences, 2024