Исследование влияния эффектов конкуренции различных типов анизотропии на критическое поведение мультислойных магнитных структур

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследовано влияние конкуренции одноионной анизотропии и анизотропии типа «легкая плоскость» на магнитные свойства мультислойной структуры Co/Cu/Co. Особенности влияния эффектов анизотропии были выявлены как в окрестности критической температуры Tc, так и в низкотемпературной области T ≪ Tc. Численное моделирование магнитных свойств мультислойной структуры было осуществлено с применением анизотропной модели Гейзенберга. Показано, что в окрестности Tc анизотропия типа «легкая плоскость» оказывает преимущественное воздействие на магнитные свойства структуры по сравнению с влиянием одноионной анизотропии. В низкотемпературной области процесс переключения магнитного состояния ферромагнитной пленки во внешнем поле приводит к возникновению особенностей в гистерезисных эффектах, обусловленных конкуренцией типов магнитной анизотропии. Магнитная структура демонстрирует размерный переход от поведения, задаваемого анизотропией типа «легкая плоскость», к поведению с определяющим влиянием одноионной анизотропии. Выявленный размерный переход сопровождается спин-флоп-эффектом.

Об авторах

А. В. Минькова

Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского

Email: minkovaav@omsu.ru
644077, Omsk, Russia

В. В. Прудников

Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского

Email: minkovaav@omsu.ru
644077, Omsk, Russia

П. В. Прудников

Омский государственный университет им. Ф. М. Достоевского; Институт катализа Сибирского отделения Российской академии наук

Автор, ответственный за переписку.
Email: minkovaav@omsu.ru
644077, Omsk, Russia; 644040, Omsk, Russia

Список литературы

  1. G. Mihajlovi'c, N. Smith, T. Santos, J. Li, B. D. Terris, and J. A. Katine, Appl. Phys. Lett. 117, 242404 (2020).
  2. R. B. Morgunov, G. L. L'vova, A. D. Talantsev, O. V. Koplak, T. Fache, and S. Mangin, J. Magn. Magn. Mater. 459, 33 (2018).
  3. C. C. Huang, X. Zhou, and D. A. Hall, Sci. Rep. 7, 45493 (2017).
  4. J. Sarkar, Sputtering Materials for VLSI and Thin Film Devices., Elsevier, Amsterdam (2014).
  5. M. T. Johnson, P. J. H. Bloemen, F. J. A. den Broeder, and J. J. de Vries, Rep. Prog. Phys. 59, 1409 (1996).
  6. C. A. F. Vaz, J. A. C. Bland, and G. Lauho, Rep. Prog. Phys. 71, 056501 (2008).
  7. P. V. Prudnikov, V. V. Prudnikov, and M. A. Medvedeva, JETP Lett. 100, 446 (2014).
  8. A. O. Adeyeye, G. Shimon, Magnetism of Surfaces, Interfaces, and Nanoscale Materials. Handbook of Surface Science., Elsevier, Amsterdam (2015).
  9. B. Heinrich, T. Monchesky, and R. Urban, J. Magn. Magn. Mater. 236, 339 (2001).
  10. P. V. Prudnikov, V. V. Prudnikov, M. A. Menshikova, N. I. Piskunova, J. Magn. Magn. Mater. 387, 77 (2015).
  11. P. V. Prudnikov, V. V. Prudnikov, A. Yu. Danilova, V. O. Borzilov, and G. G. Baksheev, EPJ Web Conf. 185, 11009 (2018).
  12. F. Huang, M. T. Kief, G. J. Mankey, and R. F. Willis, Phys. Rev. B. 49, 3962 (1994).
  13. R. A. Duine, K. J. Lee, S. Parkin, and M. D. Stiles, Nat. Phys. 14, 217 (2018).
  14. V. V. Prudnikov, P. V. Prudnikov, M. V. Mamonova, M. M. Firstova, and A. A. Samoshilova, J. Phys.Commun. 3, 015002 (2019).
  15. M. Pajda, J. Kudrnovsky, I. Turek, V. Drchal, and P. Bruno, Phys. Rev. B. 64, 174402 (2001).
  16. T. Tanuma, S. Takahasi, M. Kume, and K. Kuroki, J. Magn. Soc. Jpn. 18, S1 (1994).
  17. Y. Chen, M. Kadic, and M. Wegener, Nat.Commun. 12, 3278 (2021).
  18. A. Fern'andez-Pacheco, R. Streubel, O. Fruchart, R. Hertel, P. Fischer, and R. P. Cowburn, Nat.Commun. 8, 15756 (2017).

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML

© Российская академия наук, 2023