Структура и электропроводность тонких пленок нитрида алюминия на кремнии
- Авторлар: Базлов Н.В.1,2, Вывенко О.Ф.1, Ниязова Н.В.2, Котина И.М.2, Трушин М.В.2, Бондаренко А.С.1
-
Мекемелер:
- Санкт-Петербургский государственный университет
- Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
- Шығарылым: Том 69, № 1 (2024)
- Беттер: 91-98
- Бөлім: ПОВЕРХНОСТЬ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
- URL: https://archivog.com/0023-4761/article/view/673240
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124010136
- EDN: https://elibrary.ru/svbvme
- ID: 673240
Дәйексөз келтіру
Аннотация
Пленки нитрида алюминия синтезированы с помощью метода реактивного магнетронного напыления на кремниевых подложках n-Si (100). Слои AlN толщиной от 2 до 150 нм получены с целью установления корреляции между строением пленок и их электропроводностью. С помощью электронной микроскопии установлено, что по мере удаления от поверхности подложки аморфное строение пленки переходило к нанокристаллическому. Пленки с толщинами до 20 нм имели высокую проводимость до 10 (Ом·см)–1, при увеличении толщины проводимость резко падала до 10–7 (Ом·см)–1. Предполагается, что высокая проводимость тонких слоев AlN обусловлена высокой плотностью границ зерен, встроенных в аморфную матрицу.
Толық мәтін

Авторлар туралы
Н. Базлов
Санкт-Петербургский государственный университет; Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: nikolay.bazlov@gmail.com
Ресей, г. Санкт-Петербург; г. Санкт-Петербург
О. Вывенко
Санкт-Петербургский государственный университет
Email: nikolay.bazlov@gmail.com
Ресей, г. Санкт-Петербург
Н. Ниязова
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: nikolay.bazlov@gmail.com
Ресей, г. Санкт-Петербург
И. Котина
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: nikolay.bazlov@gmail.com
Ресей, г. Санкт-Петербург
М. Трушин
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: nikolay.bazlov@gmail.com
Ресей, г. Санкт-Петербург
А. Бондаренко
Санкт-Петербургский государственный университет
Email: nikolay.bazlov@gmail.com
Ресей, г. Санкт-Петербург
Әдебиет тізімі
- Иванов А.М., Строкан Н.Б., Котина И.М. и др. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. № 10. С. 41.
- Иванов А.М., Котина И.М., Ласаков М.С. и др. // Физика и техника полупроводников. 2010. Т. 44. № 8. С. 1064.
- Hwan-Chul Lee, Guen-Hong Kimb, Soon-Ku Hong et al. // Thin Solid Films.1995. V. 261. P. 148.
- Oliveira I.C., Grigorov K.G., Maciel H.S. et al. // Vacuum. 2004. V. 75. P. 331. http://dx.doi.org/10.1016/j.vacuum.2004.04.001
- Tilo P. Drusedau, Jurgen Blasing // Thin Solid Films. 2000.V. 377–378. P. 27.
- Clement M., Iborra E., Sangrador J. et al. // J. Appl. Phys. 2003. V. 94. P. 1495. http://dx.doi.org/10.1063/1.1587267
- Signore M.A., Bellini E., Taurino A. et al. // J. Phys. Chem. Solids. 2013. V. 74. P. 1444. http://dx.doi.org/10.1016/j.jpcs.2013.05.003
- Jae Hyoung Choi, Jeong Yong Lee, Jin Hyeok Kim // Thin Solid Films. 2001. V. 384. P. 166.
- Bing-Hwai Hwang, Chi-Shan Chen, Hong-Yang Lu, Tzu-Chien Hsu // Mater. Sci. Eng. A. 2002. V. 325. P. 380.
- Wen-Jen Liu, Shih-Jeh Wu, Chih-Min Chen et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 276. P. 525. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.421
- Zhang J.X., Chen Y.Z., Cheng H. et al. // Thin Solid Films. 2005. V. 471. P. 336. http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2004.06.161
- Auner G.W., Jin F., Naik V.M., Naik R. // J. Appl. Phys. 1999. V. 85. P. 7879. https://doi.org/10.1063/1.370600
- Ishihara M., Li S.J., Yumoto H. et al. // Thin Solid Films. 1998. V. 316. P. 152.
- Adam T., Kolodzey J., Swann C.P. et al. // Appl. Surf. Sci. 2001. V. 175–176. P. 428.
- Iriarte G.F., Engelmark F., Katardjiev I.V. // J. Mater. Res. 2002. V. 17. № 6. P. 1469.
- Brien V., Pigeat P. // J. Cryst. Growth. 2007. V. 299. P. 189. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.10.238
- Yarar E., Hrkac V., Zamponi C. et al. // AIP Adv. 2016. V. 6. P. 075115. https://doi.org/10.1063/1.4959895
- Xiao-Hong Xu, Hai-Shun Wu, Cong-Jie Zhang, Zhi-HaoJin // Thin Solid Films. 2001. V. 388. P. 62.
- Liu H.Y., Tang G.S., Zeng F., Pan F. // J. Cryst. Growth. 2013. V. 363. P. 80. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.10.008
- Wen-Jen Liu, Shih-Jeh Wu, Chih-Min Chen et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 276. P. 525. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.11.421
- Signore M.A., Taurino A., Valerini D. et al. // J. Alloys Compd. 2015. V. 649. P. 1267. http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.05.289
- Fathimulla A., Lakhani A.A. // J. Appl. Phys. 1983. V. 54. P. 4586. http://dx.doi.org/10.1063/1.332661
- Elmazria O., Assouar M.B., Renard P., Alnot P. // Phys. Status. Solidi. A. 2003. V. 196. № 2. P. 416. http://dx.doi.org/10.1002/pssa.200306446
- Schmidt R., Mayrhofer P., Schmid U., Bittner A. // J. Appl. Phys. 2019. V. 125. P. 084501. https://doi.org/10.1063/1.5050181
- Powder Diffraction File, JCPDS International Centre for Diffraction Data. PA. 1998. https://www.icdd.com/pdfsearch/
- Corbin N.D. // J. Eur. Cer. Soc. 1989. V. 5. P. 143.
- Brien V., Pigeat P. // J. Cryst. Growth. 2008. V. 310. P. 3890. http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.06.021
- Von Richthofen A., Domnick R. // Thin Solid Films. 1996. V. 283. P. 37.
- Vergara L., Clement M., Iborra E. et al. // Diam. Relat. Mater. 2004. V. 13. P. 839. http://dx.doi.org/10.1016/j.diamond.2003.10.063
- Slack G.A. // J. Phys. Chem. Solids. 1973. V. 34. P. 321.
- Slack G.A., Tanzilli R.A., Pohl R.O., Vandersande J.W. // J. Phys. Chem. Solids. V. 48. № 7. P. 641.
- Slack G.A., Schowalter L.J., Morelli D., Freitas Jr. J.A. // J. Cryst. Growth. 2002. V. 246. P. 287.
- Harris J.H., Youngman R.A., Teller R.G. // J. Mater. Res. 1990. V. 5. № 8. P. 1763. https://doi.org/10.1557/JMR.1990.1763
- Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 5. P. 1270. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.1270
- Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 5. P. 1287. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.1287
- Westwood A.D., Youngman R.A., McCartney M.R. et al. // J. Mater. Res. 1995. V. 10. № 10. P. 2573. https://doi.org/10.1557/JMR.1995.2573
- Matare H.F. // J. Appl. Phys. 1984. V. 56. P. 2605. https://doi.org/10.1063/1.333793
- Matare H.F. // J. Appl. Phys. 1986. V. 59. P. 97. https://doi.org/10.1063/1.336846
- Fiegl B., Kuhnett R., Ben-Chorin M., Koch F. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. P. 371. https://doi.org/10.1063/1.112379
- Yanev V., Rommel M., Lemberger M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 92. P. 252910. https://doi.org/10.1063/1.2953068
Қосымша файлдар
