Информация об авторе

Агеева, Н. Н.

Выпуск Раздел Название Файл
Том 68, № 3 (2023) ОБЗОР Собственное стимулированное интенсивное пикосекундное излучение в режиме насыщения усиления и “порогового” состояния электронно-дырочной плазмы в гетероструктуре AlxGa1 – xAs–GaAs–AlxGa1 – xAs
Том 69, № 2 (2024) ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Размерный резонанс собственного стимулированного пикосекундного излучения при наведении им фотонного кристалла и осцилляций населенности электронов в гетероструктуре AlxGa1–xAs–GaAs–AlxGa1–xAs
Том 69, № 7 (2024) ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Динамика размерного резонанса собственного стимулированного пикосекундного излучения в гетероструктуре AlXGa1-XAs–GaAs–AlXGa1-XAs, в которой это излучение наводит фотонный кристалл и осцилляции населенности электронов
Том 70, № 1 (2025) ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Изменения собственного стимулированного интенсивного пикосекундного излучения гетероструктуры AlxGa1–xAs-GaAs-AlxGa1–xAs из-за возвращения в активную область отраженной от торца гетероструктуры части излучения
Том 70, № 2 (2025) ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ Факторы, уменьшающие длительность пикосекундного стимулированного излучения гетероструктуры AlxGa1–xAs–GaAs–AlxGa1–xAs